ڇا آهياڳواڻي چپ؟ پوء ان جون خاصيتون ڇا آهن؟ ايل اي ڊي چپ جي پيداوار خاص طور تي موثر ۽ قابل اعتماد گهٽ اوهمڪ رابطي واري اليڪٽرروڊس ٺاهڻ، رابطي واري مواد جي وچ ۾ نسبتا ننڍڙي وولٹیج ڊراپ کي پورا ڪرڻ، ويلڊنگ تارن لاء پريشر پيڊ مهيا ڪرڻ، ۽ جيترو ممڪن ٿي سگهي روشني کي خارج ڪرڻ آهي. فلم جي منتقلي جو عمل عام طور تي ويڪيوم evaporation جو طريقو استعمال ڪندو آهي. 4pa هاء ويڪيوم تحت، مواد مزاحمتي حرارتي يا اليڪٽران بيم بمباري واري حرارتي طريقي سان ڳري ويندي آهي، ۽ bZX79C18 ڌاتو وانپ بڻجي ويندو آهي ۽ گهٽ دٻاء هيٺ سيمي ڪنڊڪٽر مواد جي مٿاڇري تي جمع ڪيو ويندو آهي.

عام طور تي، استعمال ٿيل پي-قسم جي رابطي واري ڌاتو ۾ شامل آهي Aube، auzn ۽ ٻيا مصر، ۽ اين-سائڊ رابطي واري ڌاتو اڪثر ڪري AuGeNi مصر کي اپنائي ٿو. اليڪٽرروڊ جي رابطي واري پرت ۽ بي نقاب مصر جي پرت کي مؤثر طور تي ليٿوگرافي جي عمل جي ضرورتن کي پورو ڪري سگھي ٿو. photolithography جي عمل کان پوء، ان کي به alloying جي عمل جي ذريعي، جنهن کي عام طور تي H2 يا N2 جي تحفظ هيٺ ڪيو ويندو آهي. مصر جو وقت ۽ گرمي پد عام طور تي سيمي ڪنڊڪٽر مواد جي خاصيتن ۽ مصر جي فرنس جي شڪل جي مطابق طئي ڪيو ويندو آهي. يقينا، جيڪڏهن چپ اليڪٽرروڊ پروسيس جهڙوڪ نيري ۽ سائي وڌيڪ پيچيده آهي، غير فعال فلم جي واڌ ۽ پلازما ايچنگ جي عمل کي شامل ڪرڻ جي ضرورت آهي.

LED چپ جي پيداوار جي عمل ۾، ڪهڙو عمل ان جي فوٽو اليڪٽرڪ ڪارڪردگي تي هڪ اهم اثر آهي؟

عام طور تي ڳالهائڻ، مڪمل ٿيڻ کان پوءLED epitaxial پيداوار، ان جي مکيه برقي ملڪيت کي حتمي شڪل ڏني وئي آهي، ۽ چپ جي پيداوار پنهنجي ايٽمي فطرت کي تبديل نه ڪندي، پر ڪوٽنگ ۽ مصر جي عمل ۾ غلط حالتون ڪجهه خراب برقي پيٽرولر جو سبب بڻجنديون. مثال طور، گھٽ يا اعلي مصر جو گرمي پد خراب اوميڪ رابطي جو سبب بڻجندو، جيڪو چپ جي پيداوار ۾ اعلي فارورڊ وولٽيج ڊراپ VF جو بنيادي سبب آهي. ڪٽڻ کان پوءِ، جيڪڏهن چپ جي ڪنارن تي ڪجهه سنکنرن جا عمل ڪيا وڃن، ته اهو مددگار ثابت ٿيندو چپ جي ريورس ليڪيج کي بهتر ڪرڻ ۾. اهو ئي سبب آهي ته هيرن جي پيسڻ واري وهيل بليڊ سان ڪٽڻ کان پوء، وڌيڪ ملبو ۽ پائوڊر چپ جي ڪناري تي رهندو. جيڪڏهن اهي LED چپ جي PN جنڪشن تي پڪڙيا ويندا آهن، اهي برقي لڪيج ۽ اڃا به خراب ٿيڻ جو سبب بڻجندا. ان کان علاوه، جيڪڏهن چپ جي مٿاڇري تي فوٽوزسٽ صاف نه ڪيو ويو آهي، اهو سامهون ويلڊنگ ۽ غلط ويلڊنگ ۾ مشڪلاتن جو سبب بڻائيندو. جيڪڏهن اهو پٺي تي آهي، اهو پڻ تيز دٻاء جي گهٽتائي سبب ٿيندو. چپ جي پيداوار جي عمل ۾، روشني جي شدت کي بهتر ڪري سگهجي ٿو مٿاڇري کي ڳرڻ ۽ ان کي ورهايل trapezoidal جوڙجڪ ۾.

ايل اي ڊي چپس کي مختلف سائزن ۾ ڇو ورهايو وڃي؟ LED جي photoelectric ڪارڪردگي تي سائيز جا اثر ڇا آهن؟

LED چپ جي ماپ ۾ تقسيم ڪري سگهجي ٿو گھٽ-پاور چپ، وچولي طاقت چپ ۽ اعلي-پاور چپ طاقت موجب. ڪسٽمر جي گهرج موجب، ان کي هڪ ٽيوب سطح، ڊجيٽل سطح، ڊٽ ميٽرڪس سطح ۽ آرائشي نظم ۾ ورهائي سگهجي ٿو. جيئن ته چپ جي مخصوص سائيز لاء، اهو مختلف چپ ٺاهيندڙن جي حقيقي پيداوار جي سطح جي مطابق طئي ڪيو ويندو آهي، ۽ ڪا خاص ضرورت ناهي. جيستائين اهو عمل گذري ٿو، چپ يونٽ جي پيداوار کي بهتر ڪري سگهي ٿو ۽ قيمت گھٽائي، ۽ فوٽو اليڪٽرڪ ڪارڪردگي بنيادي طور تي تبديل نه ٿيندي. چپ جو موجوده استعمال اصل ۾ چپ ذريعي وهندڙ موجوده کثافت سان لاڳاپيل آهي. جڏهن چپ ننڍڙو آهي، موجوده استعمال ننڍڙو آهي، ۽ جڏهن چپ وڏي آهي، استعمال موجوده وڏي آهي. سندن يونٽ موجوده کثافت بنيادي طور تي ساڳيو آهي. انهي ڳالهه تي غور ڪندي ته گرمي جي ضايع ٿيڻ جو بنيادي مسئلو آهي اعلي موجوده، ان جي روشني ڪارڪردگي گهٽ موجوده جي ڀيٽ ۾ گهٽ آهي. ٻئي طرف، جيئن ايراضي وڌندي، چپ جي جسم جي مزاحمت گهٽجي ويندي، تنهنڪري وولٹیج تي اڳتي وڌندي.

LED اعلي-پاور چپ جي ايراضي ڇا آهي؟ ڇو؟

ليڊ اعلي طاقت چپسسفيد روشني لاء عام طور تي مارڪيٽ ۾ 40mil جي باري ۾ آهن. اعلي-پاور چپس جي نام نهاد استعمال طاقت عام طور تي 1W کان وڌيڪ برقي طاقت ڏانهن اشارو ڪري ٿو. جيئن ته مقدار جي ڪارڪردگي عام طور تي 20٪ کان گهٽ آهي، اڪثر برقي توانائي کي گرمي توانائي ۾ تبديل ڪيو ويندو، تنهنڪري اعلي طاقت واري چپ جي گرمي جي خاتمي تمام ضروري آهي، ۽ چپ کي وڏي ايراضيء جي ضرورت هوندي آهي.

گپ، GaAs ۽ InGaAlP جي مقابلي ۾ GaN epitaxial مواد ٺاهڻ لاءِ چپ ٽيڪنالاجي ۽ پروسيسنگ سامان جون مختلف ضرورتون ڇا آهن؟ ڇو؟

عام LED ڳاڙهي ۽ پيلي چپس جا ذيلي ذخيرا ۽ روشن Quad ڳاڙهي ۽ پيلي چپس مرڪب سيمي ڪنڊڪٽر مواد مان ٺهيل آهن جهڙوڪ گپ ۽ GaAs، جن کي عام طور تي n-قسم جي سبسٽراٽس ۾ ٺاهي سگھجن ٿا. گلي جي عمل کي ليٿوگرافي لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي، ۽ پوءِ هيرن جي پيسڻ واري ويل بليڊ کي چپ ڪٽڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي. GaN مواد جي نيري-سائي چپ هڪ sapphire substrate آهي. ڇاڪاڻ ته سفائر سبسٽريٽ موصل آهي، اهو استعمال نه ٿو ڪري سگهجي LED جي هڪ قطب طور. اهو ضروري آهي ته epitaxial مٿاڇري تي p / N electrodes کي هڪ ئي وقت ۾ خشڪ نقاشي جي عمل ذريعي، ۽ ڪجهه passivation عملن ذريعي. ڇاڪاڻ ته نيلم تمام سخت آهي، ان کي هيرن جي پيسڻ واري ويل بليڊ سان چپس ڪڍڻ ڏکيو آهي. ان جو ٽيڪنيڪي عمل عام طور تي ايل اي ڊي کان وڌيڪ ۽ پيچيده هوندو آهي گپ ۽ گيا مواد مان ٺهيل.

"شفاف اليڪٽرروڊ" چپ جي جوڙجڪ ۽ خاصيتون ڇا آهي؟

نام نهاد شفاف electrode conductive ۽ شفاف هجڻ گهرجي. هي مواد هاڻي وڏي پيماني تي مائع ڪرسٽل جي پيداوار جي عمل ۾ استعمال ٿيندو آهي. ان جو نالو انڊيم ٽين آڪسائيڊ آهي، جنهن جو مختصر نالو ITO آهي، پر ان کي سولڊر پيڊ طور استعمال نٿو ڪري سگهجي. ٺاھڻ دوران، ohmic اليڪٽرروڊ کي چپ جي مٿاڇري تي ٺاھيو ويندو، پوء ITO جي ھڪڙي پرت کي مٿاڇري تي ڍڪيو ويندو، ۽ پوء ويلڊنگ پيڊ جي ھڪڙي پرت کي ITO مٿاڇري تي پليٽ ڪيو ويندو. هن طريقي سان، ليڊ مان ڪرنٽ هڪجهڙائي سان هر اوهمڪ رابطي واري اليڪٽروڊ کي ITO پرت ذريعي ورهايو ويندو آهي. ساڳي ئي وقت، ڇاڪاڻ ته ITO جو refractive انڊيڪس هوا ۽ epitaxial مواد جي refractive انڊيڪس جي وچ ۾ آهي، روشني جي زاويه کي بهتر ڪري سگهجي ٿو ۽ روشني واري وهڪري کي وڌائي سگهجي ٿو.

سيمي ڪنڊڪٽر لائيٽنگ لاءِ چپ ٽيڪنالاجي جو مکيه وهڪرو ڇا آهي؟

سيميڪنڊڪٽر ايل اي ڊي ٽيڪنالاجي جي ترقي سان، روشني جي ميدان ۾ ان جي درخواست وڌيڪ ۽ وڌيڪ آهي، خاص طور تي سفيد LED جو اڀرڻ سيمي ڪنڊڪٽر لائيٽنگ جو هڪ گرم مقام بڻجي ويو آهي. بهرحال، اهم چپ ۽ پيڪنگنگ ٽيڪنالاجي کي بهتر ڪرڻ جي ضرورت آهي. چپ جي لحاظ کان، اسان کي اعلي طاقت، اعلي چمڪندڙ ڪارڪردگي ۽ حرارتي مزاحمت کي گهٽائڻ جي طرف ترقي ڪرڻ گهرجي. طاقت وڌائڻ جو مطلب آھي چپ جي موجوده استعمال کي وڌايو ويو آھي. وڌيڪ سڌو رستو چپ جي سائيز کي وڌائڻ آهي. هاڻي عام هاء پاور چپس 1mm × 1mm يا ائين آهن، ۽ آپريٽنگ موجوده 350mA آهي، موجوده استعمال جي واڌ جي ڪري، گرمي جي ضايع ٿيڻ جو مسئلو هڪ نمايان مسئلو بڻجي ويو آهي. هاڻي اهو مسئلو بنيادي طور تي چپ فلپ جي طريقي سان حل ڪيو ويو آهي. ايل اي ڊي ٽيڪنالاجي جي ترقي سان، روشني جي ميدان ۾ ان جي درخواست کي بي مثال موقعو ۽ چئلينج کي منهن ڏيڻو پوندو.

فلپ چپ ڇا آهي؟ ان جي جوڙجڪ ڇا آهي؟ ان جا فائدا ڇا آهن؟

بليو ايل اي ڊي عام طور تي Al2O3 substrate کي اختيار ڪري ٿو. Al2O3 substrate اعلي سختي ۽ گهٽ حرارتي چالکائي آهي. جيڪڏهن اهو رسمي ڍانچي کي اختيار ڪري ٿو، هڪ طرف، اهو مخالف جامد مسئلا آڻيندو؛ ٻئي طرف، گرمي جو خاتمو به هڪ وڏو مسئلو بڻجي ويندو تيز ڪرنٽ هيٺ. ساڳئي وقت، ڇاڪاڻ ته سامهون اليڪٽرروڊ مٿي آهي، ڪجهه روشني کي روڪيو ويندو، ۽ چمڪندڙ ڪارڪردگي گهٽجي ويندي. هاء پاور نيري LED روايتي پيڪنگنگ ٽيڪنالاجي جي ڀيٽ ۾ چپ فلپ چپ ٽيڪنالاجي ذريعي وڌيڪ موثر روشني جي پيداوار حاصل ڪري سگهي ٿي.

هن وقت، مکيه اسٽريم فلپ چپ جي جوڙجڪ جو طريقو آهي: پهريون، هڪ وڏي سائيز جي نيري LED چپ تيار ڪريو ايٽيڪڪ ويلڊنگ اليڪٽرروڊ سان، هڪ سلڪون سبسٽرٽ تيار ڪريو نيري LED چپ کان ٿورو وڏو، ۽ هڪ سون جي ڪنڊڪٽو پرت ٺاهيو ۽ وائر پرت کي ليڊ آئوٽ ڪريو ( الٽراسونڪ گولڊ وائر بال سولڊر جوائنٽ) ان تي ايٽيڪڪ ويلڊنگ لاءِ. ان کان پوء، اعلي-پاور نيري LED چپ ۽ silicon substrate eutectic ويلڊنگ سامان سان گڏ ويلڊنگ آهن.

هن ڍانچي جي خاصيت اها آهي ته epitaxial پرت سڌو سنئون رابطي ۾ سلڪون سبسٽريٽ سان آهي، ۽ سلڪون سبسٽريٽ جي حرارتي مزاحمت سيفائر سبسٽريٽ جي ڀيٽ ۾ تمام گهٽ آهي، تنهنڪري گرمي جي خراب ٿيڻ جو مسئلو چڱي طرح حل ڪيو ويو آهي. ڇاڪاڻ ته نيلم جو سبسٽريٽ فلپ مائونٽ ٿيڻ کان پوءِ مٿاهين طرف ٿئي ٿو، اهو هڪ روشني خارج ڪندڙ مٿاڇري بڻجي وڃي ٿو، ۽ نيلم شفاف آهي، تنهنڪري روشني جي اخراج جو مسئلو پڻ حل ٿي ويو آهي. مٿي ڄاڻايل آهي LED ٽيڪنالاجي جي لاڳاپيل ڄاڻ. مان سمجهان ٿو ته سائنس ۽ ٽيڪنالاجي جي ترقي سان، مستقبل جي ايل اي ڊي لیمپ وڌيڪ ۽ وڌيڪ ڪارائتو ٿي وينديون، ۽ خدمت جي زندگي تمام گهڻو بهتر ٿي ويندي، جيڪا اسان کي وڌيڪ سهولت فراهم ڪندي.